11月6日,湖南省功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)接會(huì)暨中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(以下簡(jiǎn)稱“IGBT聯(lián)盟”)第四屆國(guó)際學(xué)術(shù)論壇在株洲舉行。中國(guó)科學(xué)院院士陳星弼、中國(guó)工程院院士丁榮軍、中國(guó)工程院院士湯廣福等國(guó)內(nèi)外專家、IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)代表近300人參會(huì)。當(dāng)天,湖南省制造業(yè)創(chuàng)新中心在株洲揭牌。
IGBT,即絕緣柵雙極型晶體管,是一種新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī)、航空航天、國(guó)防軍工、軌道交通、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)。我國(guó)于2014年成立IGBT聯(lián)盟,旨在整合國(guó)內(nèi)IGBT領(lǐng)域資源,推動(dòng)我國(guó)電力電子技術(shù),特別是IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
本屆論壇上,陳星弼、湯廣福兩位院士和行業(yè)專家代表,從國(guó)際技術(shù)水平、IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)、IGBT在不同應(yīng)用領(lǐng)域等方面展開(kāi)學(xué)術(shù)交流,共同探討全球IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì),謀劃進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)化對(duì)策。
據(jù)介紹,我省正加快發(fā)展IGBT等新興優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)鏈。當(dāng)天,湖南省制造業(yè)創(chuàng)新中心在株洲揭牌。該中心致力于打造國(guó)家級(jí)創(chuàng)新平臺(tái),將展開(kāi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品開(kāi)發(fā),面向行業(yè)聯(lián)盟與產(chǎn)業(yè)鏈上下游提供設(shè)計(jì)、檢測(cè)等技術(shù)服務(wù),開(kāi)展國(guó)際交流和合作等。
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